« ATOK2010 | トップページ | 差がつく!写真アレンジ »

2010.02.08

遮断周波数が100GHzのグラフェンFET

米IBM Corp.は,遮断周波数100GHzのグラフェンFET(電界効果トランジスタ)を開発した。2010年2月5日付けの学術雑誌「Science」に論文を発表する。この遮断周波数は,同じゲート長のSi技術によるMOSFETでの最大値に対して2.5倍と大きく,「さらに改善が見込める」(IBM社)という。製造技術上も近い将来の実用化が可能だとする。

IBMがグラフェン・トランジスタを開発,遮断周波数100GHz - 新素材 - Tech-On!

グラフェン(Grapheneグラファイトを薄くスライスしたような炭素シートです.

これで一気にCPUの性能が上がりそうですね.

|

« ATOK2010 | トップページ | 差がつく!写真アレンジ »

「エレクトロニクス」カテゴリの記事

「ニュース」カテゴリの記事

コメント

コメントを書く



(ウェブ上には掲載しません)


コメントは記事投稿者が公開するまで表示されません。



トラックバック

この記事のトラックバックURL:
http://app.cocolog-nifty.com/t/trackback/3174/47515573

この記事へのトラックバック一覧です: 遮断周波数が100GHzのグラフェンFET:

« ATOK2010 | トップページ | 差がつく!写真アレンジ »